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第一作者 ： Da Chen

发表时间 ： 2015-01-01

发表刊物 ： Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS:

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： Vol.14

期号 ： No.2

页面范围 ： 024501

关键字 ： Electrons;Hyper;Rayleigh;scattering;Oxygen;Resistance;Data;storage;Thin;films;X-ray;diffraction;Electrodes;Sputter;deposition;Annealing

摘要 ： Abstract. SnOx thin film was deposited by reactive magnetron sputtering and the resistance switching behavior of Ag/SnOx/ITO was investigated. The endurance testing indicates that HRS resistance decreases with an increase in the number of cycles. After an

是否译文 ： 否