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    黄仕华

    • 教授 博士生导师 硕士生导师
    • 性别 : 男
    • 毕业院校 : 复旦大学
    • 学历 : 博士研究生毕业
    • 学位 : 博士学位
    • 在职信息 : 在岗
    • 所在单位 : 物理与电子信息工程学院
    • 入职时间 : 2004-07-01
    • 办公地点 : 校内科技楼（29幢）418室（靠西边）
    • 联系方式 : 通讯地址：浙江省金华市迎宾大道688号浙江师范大学数理信息学院 邮编：321004 Email：huangshihua@zjnu.cn 联系电话：0579-82298266（办公室），82298856（实验室）
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    Effects of O<sub>2</sub>/Ar ratio and annealing temperature on electrical properties of Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub> film prepared by magnetron sputtering

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    第一作者 ： Huang Shi-Hua

    发表时间 ： 2013-01-01

    发表刊物 ： Chinese Physics B

    所属单位 ： 数理与信息工程学院

    文献类型 ： 期刊

    卷号 ： Vol.22

    期号 ： No.2

    页面范围 ： 027701

    ISSN ： 1674-1056

    关键字 ： Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>;film;magnetron;sputtering;C-V;oxide;charge

    摘要 ： The effects of the oxygen-argon ratio on electric properties of Ta 2 O 5  film prepared by radio-frequency magnetron sputtering were investigated. The Ta 2 O 5  partially transforms from amorphous phase into crystal phase when annealing temperatures are 8

    是否译文 ： 否

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