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    黄仕华

    • 教授 博士生导师 硕士生导师
    • 性别 : 男
    • 毕业院校 : 复旦大学
    • 学历 : 博士研究生毕业
    • 学位 : 博士学位
    • 在职信息 : 在岗
    • 所在单位 : 物理与电子信息工程学院
    • 入职时间 : 2004-07-01
    • 办公地点 : 校内科技楼(29幢)418室(靠西边)
    • 联系方式 : 通讯地址:浙江省金华市迎宾大道688号浙江师范大学数理信息学院 邮编:321004 Email:huangshihua@zjnu.cn 联系电话:0579-82298266(办公室),82298856(实验室)
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    Modeling of tunneling current in ultrathin MOS structure with interface trap charge and fixed oxide charge

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    第一作者 : Hu Bo

    发表时间 : 2013-01-01

    发表刊物 : Chinese Physics B

    所属单位 : 数理与信息工程学院

    文献类型 : 期刊

    卷号 : Vol.22

    期号 : No.1

    页面范围 : 017301

    ISSN : 1674-1056

    关键字 : tunneling;current;ultrathin;oxide;interface;trap;charge;fixed;oxide;charge

    摘要 : A model based on analysis of self-consistent Poisson-Schrodinger equation is proposed to investigate the tunneling current of electrons in the inversion layer of a p-type metal-oxide-semiconductor (MOS) structure. In this model, the influences of interfac

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