黄仕华
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第一作者 : Hu Bo
发表时间 : 2013-01-01
发表刊物 : Chinese Physics B
所属单位 : 数理与信息工程学院
文献类型 : 期刊
卷号 : Vol.22
期号 : No.1
页面范围 : 017301
ISSN : 1674-1056
关键字 : tunneling;current;ultrathin;oxide;interface;trap;charge;fixed;oxide;charge
摘要 : A model based on analysis of self-consistent Poisson-Schrodinger equation is proposed to investigate the tunneling current of electrons in the inversion layer of a p-type metal-oxide-semiconductor (MOS) structure. In this model, the influences of interfac
是否译文 : 否